Micron Technology е първата, която масово произвежда фазова памет за мобилни устройства. Някои все още не са наясно с предимствата на тази иновативна технология. За да разберете как ще работи такава памет на телефона, трябва да анализирате принципа на действие на тази микросхема, която може да превключва от една фаза на друга.
Фазовата памет е интегрална схема, която се основава на фазов преход с помощта на нанотръби. Експертите го наричат по различен начин: PRAM, Ovonic Unified Memory, PCM, PCRAM, C-RAM и Chalcogenide RAM.
Основната версия на нейната работа е изключителната трансформация на халкогенида, който може да премине от аморфно състояние в кристално и обратно. Това се случва поради ефекта на високите температури на електрически ток върху молекулите на веществото.
Тази памет се счита за нестабилна. Тъй като има способността да запазва информация дори когато захранването е изключено. А скоростта на нейната работа може да се сравни само с тази на DRAM и дори да я надмине.
В допълнение към независимостта от енергия и висока производителност, PCM паметта има голям брой възможности за пренаписване, огромен размер на клетката за съхранение на информация, отлична устойчивост и надеждност срещу външни фактори.
Всички горепосочени свойства на паметта с фазова комутация позволяват значително да се улесни проектирането на схеми в микроелектронни устройства и в същото време да се подобри тяхното качество и да се умножат техните функционални свойства.
По това време фазовата памет се разработва и реконструира постоянно от такива известни компании като Samsung, Intel, Numonyx, IBM. Може да се използва в области като медицинска електроника, автомобилна индустрия, космическо инженерство, ядрена индустрия и др. Освен това тази технология става просто незаменима в смартфони, таблети и компютри.
Микрон обясни, че фазовата памет дава на електронното устройство възможност за зареждане за кратко време, с ниска консумация на енергия, има най-висока производителност и надеждност. Това ново постижение, което учените нарекоха „памет на бъдещето“, ще може да се конкурира с флаш паметта.
